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あーいや

 投稿者：Daluhmann  投稿日：2010年 1月28日(木)16時34分27秒 		返信・引用 編集済
  To3P(N)は、To264というよりむしろTo247相当ですね・・・。
パッケージを小さめにすることでかえって熱伝導率を高めるトレンドってあるんかしらん？？

チラ裏的連投失礼、しばらく黙ります。 		 

Re: ところで

 投稿者：Daluhmann  投稿日：2010年 1月28日(木)12時44分41秒 		返信・引用 編集済
  > No.2771[元記事へ]

UTiCdさんへのお返事です。

> 大出力素子の定番メーカです。

ええまあそうなんでしょうけど、熱伝導なんてのは専ら物理法則で決まるものですから、
どうも解せない部分が残ります(^^;

まあ東芝でも最新のDTMOSだとTo3P(N)＝To264？でPD=400Wというのがありますので
http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/productDetails.jsp?partKey=TK40J60T
構造やプロセス次第で熱伝導率が変わる余地がまだまだあるってことなんでしょうね。 		 

Re:ところで

 投稿者：UTiCd  投稿日：2010年 1月27日(水)00時37分21秒 		返信・引用
  手が回ってません（汗）
まだ会社に置きっ放し…

Daluhmannさん
　IXYSやAPTのあたりは、知る人ぞ知る（というほどマイナーでもないですが）
大出力素子の定番メーカです。
　直流でどれだけ流せるかはともかく、それなりに頑丈な石作ってると思いますよ。 		 

ところで

 投稿者：かつ  投稿日：2010年 1月25日(月)10時30分57秒 		返信・引用
  R4131C の調子や如何に？ｗ
あの系列なら弄ったことはあるので、多分使い方も判ると思いますんで、もしご不明な
点などあれば。（といっても既に忘れてるかも知れないけどｗ） 		 

なんか

 投稿者：Daluhmann  投稿日：2010年 1月25日(月)10時07分48秒 		返信・引用 編集済
  若松のカタログを見てると、
PD=360Wとか　http://www.wakamatsu-net.com/cgibin/biz/pageshousai.cgi?code=11060038&CATE=1106
PD=520W(!)とか　http://www.wakamatsu-net.com/cgibin/biz/pageshousai.cgi?code=11060052&CATE=1106
次々と引っかかるんですが、いったいどこまで本当なのやら・・・？？？

なんだか頭がクラクラするような数字が並んでますが、浦島効果かなあ・・・。
http://www.j-rep.com/ixys/pdmos2.cgi?_file=pdmos&strings=nchanhiper
http://parts.digikey.com/1/parts/1118008-igbt-1200v-156a-781w-to264-apt50gf120lrg.html 		 

Re: 独り言みたいな

 投稿者：Daluhmann  投稿日：2010年 1月24日(日)21時25分1秒 		返信・引用 編集済
  > No.2767[元記事へ]

一庵＠回復中さんへのお返事です。

例えば、2SK1544
http://www.semicon.toshiba.co.jp/.../2SK1544_ja_datasheet_061102.pdfと
2SK3131
http://www.google.co.jp/url?sa=t&source=web&ct=res&cd=2&ved=0CA0QFjAB&url=http%3A%2F%2Fwww.semicon.toshiba.co.jp%2Fdocget.jsp%3Fpid%3D2SK3131%26lang%3Dja%26type%3Ddatasheet&ei=4TpcS8ibIMuTkAW8r5SUAg&usg=AFQjCNHbi8P1pqdM-BTamx6JzUl7rcDY5g&sig2=7kjyuYuPl1DVP4wozppGcQ ですと、
後者はまあ前者の正常進化版と思われますが、yfsや電流定格の向上は元より、
全く同じ形状・同じサイズのパッケージなのに許容損失が増えています。
ケース内熱抵抗を減らすこともまた凄いノウハウなのでしょうね・・・。

p.s.一庵さんご指摘のケースに該当しそうな事例ハケーン
http://www.wakamatsu-net.com/cgibin/biz/pageshousai.cgi?code=11030398&CATE=1103
TO-220でチャネル〜ケース熱抵抗0.463℃/Ｗ（PD=270Ｗ）って・・・。 		 

Re: 独り言みたいな

 投稿者：一庵＠回復中  投稿日：2010年 1月24日(日)17時11分47秒 		返信・引用
  > No.2766[元記事へ]

>　絶縁型　　Rth(j-c)＝0.9 ℃/W
>　非絶縁型　Rth(j-c)＝0.6 ℃/W

レギュレータの話ですが、昔、私が創った回路を利用して使った奴がいて
そいつがレギュレータをチンチンにして、トラブルを起こして
私も巻き込まれたんですが、

回路を流用するときに、パッケージが絶縁型のセカンドソースに替えていたんですね。
それで、熱計算をやってないでちょんぼったなと思って、
そこが問題だろうと色々調べていくと、どうしても
「熱抵抗がカタログ値ほど良くないだろう」って結論が出てきて、
メーカ読んで、色々やっているうちにメーカーがカタログから消して
製造を中止してしまったと言うにがい事件を思い出しました。(^◇^;)

http://homepage3.nifty.com/ichian/

  

Re: 独り言みたいな

 投稿者：Daluhmann  投稿日：2010年 1月24日(日)15時00分13秒 		返信・引用
  > No.2765[元記事へ]

Tr太郎さん、こんにちは。はじめまして・・・でしょうか？

> コレクタ損失100Wの石はケース温度25℃のとき100W電力消費するとジャンクション温度が150℃になりますよということだけなので

はい、PDと熱抵抗の数字はトートロジーだと書いてから気づきました。

> 純粋C負荷のときが一番きついですね。正弦波出力のときVce最大でIc最大になります。

そうですね。さすがに今回はオーディオアンプですので、大きなＣをぶら下げて
大振幅で振るような状況は想定しなくてよいと思いますが・・・。

> 　たぶんケースを液体窒素で冷やすとPC=100Wの石でも100W以上損失できるんでしょうね････だれもやらないか。

キンキンに冷やしたオイルを循環させて石を放熱器ごと浸け込む油冷アンプぐらいなら
素人でも何とかなりそうですね。
あるいはフロンを使って循環装置が冷却装置そのものも兼ねるとか(笑)

電源が±50Vで4Ω負荷だと瞬間最大損失=150Ｗですので、とりあえずPD=250Ｗの石で
爆裂するかどうか試してみようと思います。 		 

Re: 独り言みたいな

 投稿者：Tr太郎  投稿日：2010年 1月24日(日)11時55分46秒 		返信・引用
  > No.2762[元記事へ]

Daluhmannさんへのお返事です。

　ご存じのとおりジャンクション温度の最大値は150℃で、コレクタ損失はケース温度が25℃のとき最大消費できる電力量と規定されています。
　ただしSOAの範囲内でという条件がつきます。このSOAもくせ者でSOAのグラフは25℃のときとこれまた条件がつきます。
　パワーアンプの設計はSOAの検討が一番大切と先輩に教わりました。純粋C負荷のときが一番きついですね。正弦波出力のときVce最大でIc最大になります。

　コレクタ損失100Wの石はケース温度25℃のとき100W電力消費するとジャンクション温度が150℃になりますよということだけなので
　コレクタ損失がわかると簡単にジャンクションケース間の熱抵抗が計算でき便利です。
100Wの石のケースジャンクション間の熱抵抗＝(150℃-25℃)÷100W＝1.25℃/W

　たぶんケースを液体窒素で冷やすとPC=100Wの石でも100W以上損失できるんでしょうね････だれもやらないか。 		 

いやいや

 投稿者：Daluhmann  投稿日：2010年 1月23日(土)17時31分41秒 		返信・引用 編集済
  独り言へのレスどうもです(^^;＞UTiCdさん

最も屈強な部類のMOS-FETを使い、シングルPPで250Ｗ＠4Ωというのを狙ったところ、
放熱器に伝わってしまった熱は強制空冷でなんとでもなりますが、
それ以前のジャンクション温度上昇はどないもならしまへんなー、つうお話でして・・・。

実装上の都合から放熱器がPP上下の石で別々というのは具合がよろしくないので、
石を厚手の銅プレートに直留めして、プレートと放熱器の間で絶縁という手を考えてます。
放熱器との接触面積が数倍になるので、熱抵抗１℃/Ｗぐらいに抑えられるんじゃないかと。

ちなみに、コンセプトからして石は必然的にNch-MOSの同極性PPとなります。
初めて手がける金田式風完全対称アンプ(笑)

＃BTA24-600CWは先日使いましたが、確かにどういう絶縁の仕方をしてるのかは
＃興味深いところですね。 		 
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